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参数资料
| 型号： | PMEG2005AEL,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 93K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 20V 0.5A SOD882 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 440mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.5mA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882 |
| 供应商设备封装： | SOD-882 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6499-6 |
                      PMEG2005AEL_3 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 03 — 15 January 2010 3 of 8 NXP Semiconductors PMEG2005AEL 0.5 A ultra low VF MEGA Schottky rectifier [1] For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. 6. Thermal characteristics [1] Refer to SOD882 standard mounting conditions (footprint), FR4 with 60 μm copper strip line. [2] For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Value Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1][2] 500 K/W Table 7. Characteristics Tamb =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Typ Max Unit VF continuous forward voltage see Figure 1; IF = 0.1 mA 25 60 mV IF =1mA 75 110 mV IF = 10 mA 135 190 mV IF = 100 mA 220 290 mV IF = 500 mA 375 440 mV IR continuous reverse current see Figure 2; [1] VR = 10 V 210 600 μA VR = 20 V 370 1500 μA Cd diode capacitance VR = 1 V; f = 1 MHz; see Figure 3 19 25 pF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG2005AELD,315 | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882D |
| PMEG2005EB,115 | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD523 |
| PMEG2005EL,315 | SCHOTTKY RECT 20V 3A SOD882 |
| PMEG2005ELD,315 | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882D |
| PMEG2010AEB,115 | SCHOTTKY RECT 20V 6A SOT523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG2005AELD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHO RECT 20V 0.5A SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHO RECT, 20V, 0.5A, SOD882D |
| PMEG2005AELD,315 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Schottky Diode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG2005AESFYL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD962 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:550mV @ 500mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:1.9ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:45μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0201（0603 公制） 供应商器件封装:DSN0603-2 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:1 |
| PMEG2005AEV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, SOT-666 |
| PMEG2005AEV T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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