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参数资料
| 型号： | PMEG2005AELD,315 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 766K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD882D |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 440mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.5mA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-882D |
| 供应商设备封装： | SOD882D |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-7528-6 |
          PMEG2005AELD All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2011. All rights reserved. Product data sheet Rev. 1 — 10 May 2011 9 of 14 NXP Semiconductors PMEG2005AELD 20 V, 0.5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 8. Test information The current ratings for the typical waveforms as shown in Figure 10, 11, 12 and 13 are calculated according to the equations: with IIFAV()= IM ×δ M defined as peak current, FAV() at DC, and with I IRMS = IM ×δ RMS defined as RMS current. 8.1 Quality information This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is suitable for use in automotive applications. (1) IR =1mA Fig 14. Reverse recovery time test circuit and waveforms trr (1) + I F t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF × RS RS = 50 Ω IF D.U.T. Ri = 50 Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 Fig 15. Duty cycle definition = t1 t2 P t 006aaa812 duty cycle δ t1 t2 IRMS = I |
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