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参数资料
| 型号： | PMEG2005EJ,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 20V 0.5A SOT323F |
| 产品目录绘图： | SOD-323 Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 390mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 80pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | SOD-323F |
| 包装： | 带卷 (TR) |
                                 PMEGXX05EH_EJ_SER_2 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 02 — 13 January 2010 5 of 13 NXP Semiconductors PMEGxx05EH/EJ series 0.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. [2] Schottky barrier rectifier thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power lo sses. Nomograms for determining the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. Table 8. Characteristics Tamb =25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] PMEG2005EH, PMEG2005EJ IF = 0.1 mA - 90 130 mV IF = 1 mA - 150 190 mV IF = 10 mA - 210 240 mV IF = 100 mA - 280 330 mV IF = 500 mA - 355 390 mV PMEG3005EH, PMEG3005EJ IF = 0.1 mA - 90 130 mV IF = 1 mA - 150 200 mV IF = 10 mA - 215 250 mV IF = 100 mA - 285 340 mV IF = 500 mA - 380 430 mV PMEG4005EH, PMEG4005EJ IF = 0.1 mA - 95 130 mV IF = 1 mA - 155 210 mV IF = 10 mA - 220 270 mV IF = 100 mA - 295 350 mV IF = 500 mA - 420 470 mV IR reverse current [1][2] PMEG2005EH, PMEG2005EJ VR =10V - 15 40 μA VR= 20 V - 40 200 μA PMEG3005EH, PMEG3005EJ VR =10V - 12 30 μA VR= 30 V - 40 150 μA PMEG4005EH, PMEG4005EJ VR =10V - 7 20 μA VR= 40 V - 30 100 μA Cd diode capacitance VR =1V; f=1MHz PMEG2005EH, PMEG2005EJ -6680pF PMEG3005EH, PMEG3005EJ -5570pF PMEG4005EH, PMEG4005EJ -4350pF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEM24DSEN-S13 | CONN EDGECARD 48POS .156 EXTEND |
| DS1230W-150 | IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP |
| VI-B4Y-CV-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W |
| EEM24DSEH-S13 | CONN EDGECARD 48POS .156 EXTEND |
| GBM12DCCI-S189 | CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG2005EL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 20V 0.5A,PMEG2005EL |
| PMEG2005EL T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG2005EL,315 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG2005EL315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE RECT 20V 0.5A SOD882 |
| PMEG2005ELD | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOT REC 20V 0.5A SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT REC, 20V, 0.5A, SOD882D 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOT REC, 20V, 0.5A, SOD882D; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:20V; Forward Current If(AV):500mA; Forward Voltage VF Max:500mV; Forward Surge Current Ifsm Max:3A ;RoHS Compliant: Yes |
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