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参数资料
| 型号： | PMEG2005ET,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 20V 0.5A SOT23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 390mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 80pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1509 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 568-4111-6 |
                              PMEGXX05ET_SER_2 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 02 — 13 January 2010 3 of 12 NXP Semiconductors PMEGxx05ET series 0.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers in SOT23 package 4. Marking [1] * = -: made in Hong Kong * = p: made in Hong Kong * = t: made in Malaysia * = W: made in China 5. Limiting values [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. 6. Thermal characteristics [1] For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. [2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. Table 5. Marking codes Type number Marking code[1] PMEG2005ET P3* PMEG3005ET P4* PMEG4005ET P5* Table 6. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage PMEG2005ET - 20 V PMEG3005ET - 30 V PMEG4005ET - 40 V IF forward current - 0.5 A IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 ms; δ≤0.5 - 3.9 A IFSM non-repetitive peak forward current tp = 8 ms square wave [1] -10A Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C [1] - 280 mW [2] - 420 mW Tj junction temperature - 150 °C Tamb ambient temperature ?65 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C Table 7. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1][2] --440K/W [1][3] --300K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ECC06DCMD-S288 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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