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参数资料
| 型号： | PMEG2010AEB,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 107K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 20V 6A SOT523 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 620mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.5mA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 25pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
    2003 Dec 03 3 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 1 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOD523 package PMEG2010AEB LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Note 1. For Schottky barrier rectifiers, thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. No mograms for determination of the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. THERMAL CHARACTERISTICS Notes 1. Refer to SOD523 (SC-79) standard mounting conditions. 2. For Schottky barrier rectifiers, thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. No mograms for determination of the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. 3. Solder point of cathode tab. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage ? 20 V IF continuous forward current Ts ≤ 55 °C ? 1.0 A IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 ms; δ ≤ 0.5 ? 3.5 A IFSM non-repetitive peak forward current t = 8 ms square wave ? 6 A Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature note 1 ? 150 °C Tamb operating ambient temperature note 1 ?65 +150 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air; notes 1 and 2 400 K/W Rth(j-s) thermal resistance from junction to soldering point notes 2 and 3 75 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG2010AEH,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD123F |
| PMEG2010AEJ,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD323F |
| PMEG2010AEK,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SC-59A |
| PMEG2010EJ,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOD323F |
| PMEG2010EPA,115 | SCHOTTKY RECT 20V 1A SOT1061 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG2010AEH | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTTKY, 1A, 20V, SOD-123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 20V 1A,PMEG2010AEH |
| PMEG2010AEH,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 20V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG2010AEH115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODE 1A 20V SOD-123F |
| PMEG2010AEJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 20V 1A,PMEG2010AEJ |
| PMEG2010AEJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 20V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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