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参数资料
型号： PMEG2015EV,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 3/7页
文件大小： 106K
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOT666
标准包装： 1
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 20V
电流 - 平均整流 (Io)： 1.5A（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 660mV @ 1.5A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 50µA @ 15V
电容@ Vr, F： 25pF @ 5V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商设备封装： SOT-666
包装： 标准包装
其它名称： 568-7393-6
2003 Jun 03 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low VF MEGA Schottky barrier diode
PMEG2015EV
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb
=
25
°C unless otherwise specified.
Notes
1. Only valid if pins 1, 2 and 5, 6 are soldered on 1
cm2
copper solder land.
2. Pulse test: tp
=
300
μs; δ
=
0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1. Refer to SOT666 standard mounting conditions.
2. Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for cathode 1
cm2.
3. Soldering point of cathode tabs.
Soldering
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
VF
continuous forward voltage
see
Fig.2; note
1
IF
=
10
mA
240
270
mV
IF
=
100
mA
300
350
mV
IF
=
1000
mA
480
550
mV
IF
=
1500
mA
530
660
mV
IR
continuous reverse current
see
Fig.3; note
2
VR
=
5
V
5
10
μA
VR
=
8
V
7
20
μA
VR
=
15
V
10
50
μA
Cd
diode capacitance
VR
=
5
V; f
=
1
MHz; see
Fig.4
19
25
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
405
K/W
note
2
215
K/W
Rth
j-s
thermal resistance from junction to solder point
note
3
80
K/W
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PDF描述
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