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参数资料
| 型号： | PMEG3010EH,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 76K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1A SOD123F |
| 产品目录绘图： | SOD-123F Pin Out SOD-123F Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 560mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 70pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123F |
| 供应商设备封装： | SOD-123F |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG3010EH_EJ_ET_4 ? NXP B.V. 2007. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 20 March 2007 3 of 11 NXP Semiconductors PMEG3010EH/EJ/ET 1 A very low VF MEGA Schottky barrier recti?ers 5. Limiting values [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. Table 6. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage - 30 V IF forward current Tsp ≤ 55 °C-1A IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 ms; δ≤0.25 PMEG3010EH - 7 A PMEG3010EJ - 7 A PMEG3010ET - 5 A IFSM non-repetitive peak forward current square wave; tp =8ms -9A Ptot total power dissipation Tamb ≤25 °C PMEG3010EH [1] - 375 mW [2] - 830 mW PMEG3010EJ [1] - 350 mW [2] - 830 mW PMEG3010ET [1] - 280 mW [2] - 420 mW Tj junction temperature - 150 °C Tamb ambient temperature ?65 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-B3K-CW-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W |
| RMC43DRTI-S13 | CONN EDGECARD 86POS .100 EXTEND |
| 180-026-202L001 | CONN DB26 FEMALE HD SLD CUP TIN |
| VI-B3F-CX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W |
| VI-B3B-CX-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010EJ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Schottky 30V 1A F,PMEG3010EJ |
| PMEG3010EJ T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010EJ,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010EJ115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY RECT 30V 1A SOD323F |
| PMEG3010EJTR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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