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参数资料
| 型号： | PMEG3010EP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 90K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-128 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 360mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1.5mA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 170pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 PMEG3010EP_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 30 December 2008 3 of 13 NXP Semiconductors PMEG3010EP 1 A low VF MEGA Schottky barrier recti?er [1] Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint. [2] Tj =25°C prior to surge. [3] Re?ow soldering is the only recommended soldering method. [4] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [5] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. 6. Thermal characteristics [1] For Schottky barrier diodes thermal runaway has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a signi?cant part of the total power losses. [2] Re?ow soldering is the only recommended soldering method. [3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [4] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2. [5] Device mounted on a ceramic PCB, Al2O3, standard footprint. [6] Soldering point of cathode tab. Tj junction temperature - 150°C Tamb ambient temperature ?55 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C Table 5. Limiting values …continued In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance fromin free air junction to ambient [1][2] [3]- - 200 K/W [4]- - 120 K/W [5]--60K/W Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point [6] --12K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG3010ER,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.0A SOD-123W |
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| PMEG3015EV,115 | SCHOTTKY RECT 30V 1.5A SOT666 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3010ER | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, RECT SCH, 30V, 1A, SOD123W; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):1A; Forward Voltage VF Max:360mV; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3010ER,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010ET | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOT-23 |
| PMEG3010ET,215 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3010ET215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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