参数资料
型号: PMEG3020EH,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/9页
文件大小: 106K
描述: SCHOTTKY RECT 30V 2A SOD123F
产品目录绘图: SOD-123F Pin Out
SOD-123F Circuit
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 2A(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 620mV @ 2A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 30V
电容@ Vr, F: 72pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123F
供应商设备封装: SOD-123F
包装: 带卷 (TR)
其它名称: PMEG3020EH115-CHP
PMEG3020EH_EJ_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 4 February 2010 4 of 9
NXP Semiconductors
PMEG3020EH; PMEG3020EJ
30 V, 2 A ultra low VF
MEGA Schottky barrier rectifiers
7. Characteristics
[1] Pulse test: tp
300
μs; δ≤0.02.
Table 8. Characteristics
Tamb
=25°C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VF
forward voltage
[1]
IF
= 1 mA - 125 160 mV
IF
= 10 mA - 185 220 mV
IF
= 100 mA - 255 290 mV
IF
= 500 mA - 330 380 mV
IF
= 1000 mA - 400 480 mV
IF
= 2000 mA - 510 620 mV
IR
reverse current VR
=10V - 60 150
μA
VR= 30 V - 400 1000
μA
Cd
diode capacitance VR
=1V; f=1MHz - 6072pF
(1) Tamb
= 150 °C
(2) Tamb
= 125 °C
(3) Tamb
=85°C
(4) Tamb
=25°C
(5) Tamb
=
?40
°C
(1) Tamb
= 150
°C
(2) Tamb
= 125
°C
(3) Tamb
=85°C
(4) Tamb
=25°C
(5) Tamb
=
?40
°C
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
006aaa293
10
1
103
102
104
IF
(mA)
10?1
VF
(V)
0 0.60.1 0.3 0.50.2
0.4
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
006aaa294
106
IR
(μA)
105
10?2
10?1
1
10
102
103
104
VR
(V)
035515 3010
20
25
(1)
(3)
(2)
(4)
(5)
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PDF描述
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参数描述
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