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参数资料
| 型号： | PMEG3020EJ,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 106K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 30V 2A SOD323F |
| 产品目录绘图： | SOD-323 Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 620mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 72pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | SOD-323F |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | PMEG3020EJ115-CHP |
                                   PMEG3020EH_EJ_4 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 4 February 2010 3 of 9 NXP Semiconductors PMEG3020EH; PMEG3020EJ 30 V, 2 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifiers 5. Limiting values [1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1cm2. 6. Thermal characteristics [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. [2] For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications the reverse power losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determining the reverse power losses PR and I F(AV) rating will be av ailable on request. [3] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1cm2. Table 6. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage - 30 V IF forward current Tsp ≤ 55 °C-2A IFRM repetitive peak forward current tp ≤ 1 ms; δ≤0.25 - 4.5 A IFSM non-repetitive peak forward t = 8 ms; square current wave [1] -9A Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C PMEG3020EH [1] - 375 mW [2] - 830 mW PMEG3020EJ [1] - 360 mW [2] - 830 mW Tj junction temperature - 150 °C Tamb ambient temperature ?65 +150 °C Tstg storage temperature ?65 +150 °C Table 7. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air PMEG3020EH [1][2] --330K/W [2][3] --150K/W PMEG3020EJ [1][2] --350K/W [2][3] --150K/W Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point PMEG3020EH - - 60 K/W PMEG3020EJ - - 55 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T86C106M020EASL | CAP TANT 10UF 20V 20% 2312 |
| 745820-1 | CONN D-SUB RCPT STR 15POS PCB AU |
| RSC36DRTF | CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD |
| VE-25X-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W |
| 5748826-1 | CONN D-SUB PLUG R/A 25POS T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PMEG3020EP | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTT RECT, 30V, 2A, SOD128 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTT RECT, 30V, 2A, SOD128; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):2A; Forward Voltage VF Max:360mV; Forward Surge Current Ifsm Max:50A; No. of Pins:2;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3020EP,115 | 功能描述:整流器 SCHOTTKY RECT 30V 2A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| PMEG3020EPA | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTT RECT, 30V, 2A, SOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SCHOTT RECT, 30V, 2A, SOT1061; Diode Type:Schottky; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:30V; Forward Current If(AV):2A; Forward Voltage VF Max:470mV; Forward Surge Current Ifsm Max:17A ;RoHS Compliant: Yes |
| PMEG3020EPA,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECT 30V 2A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PMEG3020EPA115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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