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参数资料
| 型号： | PMEG4010EP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 14/14页 |
| 文件大小： | 150K |
| 描述： | SCHOTTKY RECT 40V 1.0A SOD128 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 490mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 40V |
| 电容@ Vr, F： | 130pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
           PMEG4010EP_2 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 02 — 15 April 2010 9 of 14 NXP Semiconductors PMEG4010EP 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier 8. Test information The current ratings for the typical waveforms as shown in Figure 9, 10, 11 and 12 are calculated according to the equations: with IIFAV()= IM ×δ M defined as peak current, FAV() at DC, and with I IRMS = IM ×δ RMS defined as RMS current. 8.1 Quality information This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is suitable for use in automotive applications. 9. Package outline Fig 13. Duty cycle definition = t1 t2 P t 006aaa812 duty cycle δ t1 t2 IRMS = I Fig 14. Package outline SOD128 07-09-12 Dimensions in mm 1.1 0.9 0.22 0.10 0.6 0.3 5.0 4.4 4.0 3.6 1.9 1.6 2.7 2.3 1 2 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| PMEG4010ER_10 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier |
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