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参数资料
型号： PMEG4030ER,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 1/13页
文件大小： 93K
描述： SCHOTTKY RECT 40V 3A SOD123W
标准包装： 1
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 40V
电流 - 平均整流 (Io)： 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 540mV @ 3A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 100µA @ 40V
电容@ Vr, F： 250pF @ 1V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123W
供应商设备封装： SOD123W
包装： 标准包装
其它名称： 568-6749-6
1. Product pro?le
1.1 General description
Planar Maximum Ef?ciency General Application (MEGA) Schottky barrier recti?er with an
integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and ?at
lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
1.2 Features
n
Average forward current: IF(AV)
≤
3A
n
Reverse voltage: VR≤
40 V
n
Low forward voltage
n
High power capability due to clip-bond technology
n
AEC-Q101 quali?ed
n
Small and ?at lead SMD plastic package
1.3 Applications
n
Low voltage recti?cation
n
High ef?ciency DC-to-DC conversion
n
Switch Mode Power Supply (SMPS)
n
Reverse polarity protection
n
Low power consumption applications
1.4 Quick reference data
[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al2O3, standard footprint.
PMEG4030ER
3 A low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
Rev. 01 — 11 August 2009 Product data sheet
Table 1. Quick reference data
Tj=25°C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IF(AV)
average forward current square wave;
δ
= 0.5;
f=20kHz
Tamb
≤
40
°C
[1]
--3A
Tsp
≤
130
°C --3A
VR
reverse voltage - - 40 V
VF
forward voltage IF
= 3 A - 460 540 mV
IR
reverse current VR
= 40 V - 25 100
μA
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PDF描述
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