型号: | PMN40LN |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PMN40LN |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PMN40LN /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PMN40LN,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PMN40LN135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 5.4A SOT457 |
PMN40UPE | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 20V 6A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 6A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 6A, SOT457, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-6A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):0.037ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-700mV, Power , RoHS Compliant: Yes |
PMN40UPE,115 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.7A(Ta) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta),8.33W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 3A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 |