型号: | PMN6-6F-2K |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PMN6-6F-2K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PMN70XPE | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 20V 4.1A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 4.1A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 4.1A, SOT457, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain |
PMN70XPE,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMN70XPE/SC-74/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P-CH SINGLE 20V 6TSOP |
PMN70XPX | 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.1A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):88 毫欧 @ 3.1A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74,SOT-457 标准包装:1 |