| 型号: | PMV2-6RB-C |
| 元件分类: | 开关 |
| 英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 525K |
| 代理商: | PMV2-6RB-C |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PMV2-6RB-X | 功能描述:端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1 RoHS:否 制造商:AVX 产品:Junction Box - Wire to Wire 系列:9826 线规:26-18 接线柱/接头大小: 绝缘: 颜色:Red 型式:Female 触点电镀:Tin over Nickel 触点材料:Beryllium Copper, Phosphor Bronze 端接类型:Crimp |
| PMV27UPEAR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 4.15W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 4.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
| PMV27UPER | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):22.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 4.15W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 4.5A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
| PMV28UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 3.3A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 3.3A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 3.3A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power ;RoHS Compliant: Yes |