型号: | PMV40UN |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 7/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PMV40UN |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PMV40UN,215 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PMV40UN215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 4.9A SOT-23 |
PMV40UN2R | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):635pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):44 毫欧 @ 3.7A,4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
PMV4248GY | 功能描述:电气外壳 RoHS:否 制造商:Bud Industries 产品:Wall Mount Enclosures 类型:Single Door NEMA 额定值:3R 外部深度:254 mm 外部高度:305 mm 外部宽度:305 mm 面板宽度:261 mm 面板高度:261 mm 材料:Steel 颜色:Gray 通风:Not Available |
PMV42ENER | 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):281pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 4.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |