型号: | PMV48XP |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 6/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | PMV48XP |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PMV48XP,215 | 功能描述:MOSFET P-CH -20 V -3.5 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
PMV48XPAR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1000pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 4.15W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.4A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
PMV50ENEAR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.9A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):276pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 3.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):43 毫欧 @ 3.9A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
PMV50EPEAR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19.2nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):793pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310mW(Ta), 455mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 4.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 |
PMV50UPE | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 20V 4A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 4A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 20V, 4A, SOT23, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.7A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-600mV, Power , RoHS Compliant: Yes |