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参数资料
| 型号： | PN115 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | LSTLR103-001, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PN115 |
2
Phototransistors
PNZ115
P
C
— Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— V
CE
20
16
12
4
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
I
CE(L)
— L
10
2
10
1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–2
10
–1
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
V
= 10V
T = 2856K
I
CE(L)
— Ta
10
2
1
10
Ambient temperature Ta (C )
– 40
0
40
80
120
10
–1
C
C
I
CEO
— Ta
10
2
1
10
–1
10
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
μ
A
10
–2
– 20
0
40
80
20
60
100
t
r
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
10
–2
t
f
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
10
–2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
L = 100 lx
10 lx
50 lx
100 lx
L =250 lx
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PDF描述 |
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