型号: | PN2222/D11Z-J14Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 56K |
代理商: | PN2222/D11Z-J14Z |
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PDF描述 |
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PGU-001-1A5 | IC SOCKET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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PN2222G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2222-H | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
PN2222-L | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
PN2222RA | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
PN2222TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |