参数资料
型号: PN4274-5T1
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-92-5T1, 3 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 406K
代理商: PN4274-5T1
相关PDF资料
PDF描述
PN4274-5F 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN5133-18RLEADFREE 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN5133TRD 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN5133TRC 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN5133TRB 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
PN4275 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4275_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Switching Transistor
PN4275_D26Z 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4275_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4294 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92