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参数资料
| 型号： | PN4393L-1TR1 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | PN4393L-1TR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN4393L-1TA | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| PN4393L18 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| PN4416TA | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| PNA2803MR | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| PNX9520E | Connected media processor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PN4416 | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| PN4416_D27Z | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel RF Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| PN4416_Q | 功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| PN4416_TO-92 | 制造商:MICROSS 制造商全称:MICROSS 功能描述:a N-Channel high frequency JFET amplifier |
| PN4416A | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel field-effect transistor |
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