- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录202016 > PN4916-18RLEADFREE (CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP) 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PN4916-18RLEADFREE |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92-18R, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | PN4916-18RLEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN4916TRH | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| PN4916TRC | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| PN4916TRB | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| PN4916-5T | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| PN4917-18FLEADFREE | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PN4917 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN4917_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
| PN4917_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN4917_D27Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN4917_D74Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。