参数资料
型号: PN5130
厂商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件页数: 1/4页
文件大小: 131K
代理商: PN5130
相关PDF资料
PDF描述
PN5130/D28Z-J25Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PN5130/D27Z-J25Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PN5130/D26Z-J25Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PN5130/D11Z-J25Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PN5130-J25Z UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
PN5131 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
PN5132 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
PN5133 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN LOW NOISE 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN5134 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN5134_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier