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参数资料
| 型号： | PNA1801 |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | DOME-3.0 |
| 中文描述： | 光电晶体管|叩| 800NM峰值波长| 2000万|穹顶- 3.0 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | PNA1801 |
2
Phototransistors
PNA1801
t
r
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
Ta = 25C
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
t
f
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
Ta = 25C
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
P
C
— Ta
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— V
CE
20
16
12
4
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
V
= 10V
Ta = 25C
I
CE(L)
— L
Illuminance L (lx)
C
C
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
10
3
10
4
10
2
10
–2
1
I
CEO
— Ta
10
3
10
1
10
2
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–1
– 40
0
40
80
120
V
= 10V
T = 2856K
I
CE(L)
— Ta
10
2
1
10
Ambient temperature Ta (C )
– 40
0
40
80
120
10
–1
C
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
750 lx
500 lx
L = 2000 lx
1000 lx
1500 lx
1750 lx
1250 lx
100 lx
250 lx
L = 1000 lx
500 lx
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
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PDF描述 |
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