参数资料
型号: PR26MF11NSZ
厂商: Sharp Microelectronics
文件页数: 5/15页
文件大小: 0K
描述: RELAY SSR 120VAC .6A TRIAC 8-DIP
标准包装: 50
系列: PR26MF
电路: SPST-NO(1 Form A)
输出类型: AC
负载电流: 600mA
输入电压: 1.2VDC
电压 - 负载: 0 ~ 120 V
安装类型: 通孔
端接类型: PC 引脚
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
继电器类型: 继电器
其它名称: 425-1183-5
PR26MF1xNSZ Series
PR36MF1xNSZ Series
■ Absolute Maximum Ratings
(T a = 25?C)
Parameter Symbol Rating Unit
Input
Forward current
Reverse voltage
RMS ON-state current
I F
V R
I T (rms)
50 *3
6
0.6 *3
mA
V
A
Output
Peak one cycle surge current
Repetitive PR26MF1xNSZ
peak OFF-state voltage PR36MF1xNSZ
I surge
V DRM
6
400
600
*4
A
V
*1
Isolation voltage
V iso (rms)
4.0
kV
Operating temperature
Storage temperature
T opr
T stg
? 25 to + 85
? 40 to + 125
?C
?C
Soldering area
*2
Soldering temperature
T sol
270 *5
?C
*1 40 to 60%RH, AC for 1minute, f = 60Hz
*2 For 10s
*3 Refer to Fig.1, Fig.2
*4 f = 50Hz sine wave
*5 Lead solder plating models: 260?C
■ Electro-optical Characteristics
(T a = 25?C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN. TYP.
MAX.
Unit
Input
Output
Forward voltage
Reverse current
Repetitive peak OFF-state current
ON-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of OFF-state voltage
V F
I R
I DRM
V T
I H
dV/dt
I F = 20mA
V R = 3V
V D = V DRM
I T = 0.6A
V D = 6V
?
V D = 1/ √ 2 ·V DRM
?
?
?
?
?
100
1.2
?
?
?
?
?
1.4
10
100
3.0
25
?
V
μ A
μ A
V
mA
V/ μ s
Transfer
Minimum trigger current
Rank 1
Rank 2
I FT
V D = 6V, R L = 100 ?
?
?
?
?
10
5
mA
charac-
Isolation resistance
R ISO
DC500V,40 to 60%RH
5 × 10
10
10 11
?
?
teristics
Turn-on time
Rank 1
Rank 2
t on
V D = 6V, R L = 100 ? , I F = 20mA
V D = 6V, R L = 100 ? , I F = 10mA
?
?
100
μ s
Sheet No.: D4-A00401EN
5
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