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参数资料
| 型号： | PR3BMF51NSKF |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | RELAY SSR 10MA 240V 1.2A 8-DIP |
| 产品目录绘图： | PRxxMF Series Circuit |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PR3BMF |
| 电路： | SPST-NO（1 Form A） |
| 输出类型： | AC |
| 负载电流： | 1.2A |
| 输入电压： | 1.2VDC |
| 电压 - 负载： | 0 ~ 240 V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 端接类型： | PC 引脚 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线 |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 继电器类型： | 继电器 |
| 产品目录页面： | 2634 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 425-2562-5 |
PR3BMF51NSKF Series
■ Absolute Maximum Ratings
(T a = 25 ? C)
Parameter
Symbol Rating
Unit
Input
Forward current
Reverse voltage
I F
V R
50 ? 3
6
mA
V
RMS ON-state current
I T (rms) 1.2 ? 3
A
Output Peak one cycle surge current
Repetitive peak OFF-state voltage
I surge
V DRM
12 ? 4
600
A
V
*1
Isolation voltage
V iso (rms) 4
kV
Operating temperature
Storage temperature
T opr
T stg
? 30 to + 105
? 40 to + 125
? C
? C
*2
Soldering temperature
T sol
270
? C
Soldering area
*1 40 to 60%RH, AC for 1minute, f=60Hz
*2 For 10s
*3 Refer to Fig.1, Fig.2
*4 f = 50Hz sine wave
■ Electro-optical Characteristics
(T a = 25 ? C)
Parameter
Symbol
Condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
V D = 1/ √ 2 ·V DRM
Input
Output
Forward voltage
Reverse current
Repentitive peak OFF-state current
ON-state voltage
Holding current
Critical rate of rise of OFF-state voltage
V F
I R
I DRM
V T
I H
dV/dt
I F = 20mA
V R = 3V
V D = V DRM
I T = 1.2A
V D = 6V
?
?
?
?
?
?
100
1.2
?
?
?
?
?
1.4
10
100
2.5
25
?
V
μ A
μ A
V
mA
V/ μ s
Transfer Minimum trigger current
I FT
V D = 6V, R L = 100 Ω
?
?
10
mA
charac-
Isolation resistance
R ISO
DC500V, 40 to 60%RH
5 × 10 10
10 11
?
Ω
teristics Turn-on time
t ON
V D = 6V, R L = 100 Ω , I F = 20mA
?
?
100
μ s
Sheet No.: D4-A03801EN
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PRDA-11AJA-120 | RELAY GEN PURPOSE DPDT 20A 120V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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