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参数资料
| 型号： | PRLL5817,135 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 129K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD87 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 450mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1mA @ 20V |
| 电容@ Vr, F： | 70pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-87 |
| 供应商设备封装： | MELF |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 933968000135 PRLL5817 /T3 PRLL5817 /T3-ND |
      1999 Apr 22 7 NXP Semiconductors Product data sheet Schottky barrier diodes PRLL5817; PRLL5818; PRLL5819 Fig.6 PRLL5817. Maximum permissible junction temperature as a function of reverse voltage; device mounted; refer to SOD87 standard mounting conditions. 0 0 0210 VR (V) 0 0210 VR (V) 0 200 MBE635 100 Tj oC) ( VRWM VR δ = 0.2 δ = 0.5 Fig.7 PRLL5817. Reverse power dissipation as a function of reverse voltage (max. values); device mounted; refer to SOD87 standard mounting conditions. 0.1 MBE640 0.05 PR (W) VRWM VR δ = 0.5 δ = 0.2 Fig.8 PRLL5818. Maximum permissible junction temperature as a function of reverse voltage; device mounted; refer to SOD87 standard mounting conditions. 0 0 0420 VR (V) 0 0420 VR (V) 0 200 MBE636 100 Tj oC) ( VRWM VR δ = 0.2 δ = 0.5 Fig.9 PRLL5818. Reverse power dissipation as a function of reverse voltage (max. values); device mounted; refer to SOD87 standard mounting conditions. 0.1 MBE638 0.05 PR (W) VRWM VR δ = 0.5 δ = 0.2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PRLL5817TR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| PRLL5818 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Schottky barrier diodes |
| PRLL5818,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| PRLL5818/T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DIODE SCHOTTKY |
| PRLL5818115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY DIODE 1A 30V SOD-87 |
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