STGWT30V60DF
ST
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TO-3P
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型号:STGWT30V60DF
品牌:STMICroelectronics
封装:Tube
描述:IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
产品详情
配置: | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 600 V |
集电极—射极饱和电压: | 2.35 V |
栅极/发射极最大电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 60 A |
栅极—射极漏泄电流: | 250 nA |
功率耗散: | 258 W |
最大工作温度: | + 175 C |
封装 / 箱体: | TO-3P |
封装: | Tube |
商标: | STMicroelectronics |
最小工作温度: | - 55 C |
安装风格: | Through Hole |
系列: | STGWT30V60DF |
工厂包装数量: | 30 |
深圳市睿宇兆恒科技有限公司
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