KODENSHI
SGTN15C120HW
TO-247
1200V
15A
电源
结型场效应管
N沟道
耗尽型
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SGTN15C120HW 韩国光电子AUK最新推出15N120(15A,1200V.TO-247)电磁炉专用IGBT
SGTN15C120HW 1200V, 15A IGBT
超高性价比,可完美替代英飞凌 仙童 东芝 IXYS!
SGTN15C120HW替代FGA15N120ANDTU
SGTN15C120HW替代IKW15N120T2
SGTN15C120HW替代IHW15N120R2
SGTN15C120HW替代IHW15N120R3
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SGTN15C120HW替代G15N120
SGTN15C120HW替代IXGH15N120BD1
SGTN15C120HW替代G15N120RUFD
SGTN15C120HW替代IXSH15N120B
SGTN15C120HW产品特点
?低栅极电荷
?现场SOTP技术
?低饱和电压:
VCE(sat) = 1.8V (@ IC = 15A, TC = 25?C)
SGTN15C120HW产品应用
?通用变频器
?感应加热(IH)
SJMN07S60FD(7A,600V,TO-220F)AUK最新推出CoolMOS
(7A,600V,TO-220F) N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN07S60F/7N60 COMOS场效应管
SJMN07S60F产品特点
1.漏源电压VDSS=600V
2.低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.32Ω(典型值)
3.低输入电容和栅极电荷
4.符合RoHS标准装置
5. 100%雪崩测试
?100%雪崩测试
SJMN20S60FD(20A,600V,20N60)AUK最新推出CoolMOS
光电子COOLMOS SJMN20S60FD替代SPA20N60C3
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN20S60FD产品特点
?漏源电压VDSS=600V
?低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.155Ω(典型值)
?低输入电容和栅极电荷
?符合RoHS标准装置
?100%雪崩测试
SJMN1160FD(11A,600,11N60)AUK最新推出CoolMOS
AUK COOLMOS管SJMN1160FD替代SPA11N60C3
N-Channel Super Junction MOSFET
SJMN1160FD产品特点
1.漏源电压VDSS=600V
2.低漏源导通电阻:R DS(ON)=0.32Ω(典型值)
3.低输入电容和栅极电荷
4.符合RoHS标准装置
5. 100%雪崩测试
电话:0755-83254770
联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理 (女士)
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