IRFB31N20DPBF参数
端子数量 3
最小击穿电压 200 V
加工封装描述 铅 FREE PACKAGE-3
无铅 Yes
欧盟RoHS规范 Yes
状态 ACTIVE
包装形状 矩形的
包装尺寸 凸缘安装
端子形式 THROUGH-孔
端子涂层 MATTE 锡 OVER 镍
端子位置 单一的
包装材料 塑料/环氧树脂
结构 单一的 WITH BUILT-IN
二极管
壳体连接 DRAIN
元件数量 1
晶体管应用
开关
晶体管元件材料 硅
最大环境功耗 3.1 W
通道类型 N沟道
场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT
晶体管类型 通用
电源
最大漏电流 31 A
额定雪崩能量 420 mJ
最大漏极导通
电阻 0.0820 ohm
最大漏电流脉冲 124 A
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