晶体管IRFH5302TRPBF

型号：
IRFH5302TRPBF
厂家：
IR
批号：
13+
封装：
DFN56

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产品信息

型号：IRFH5302TRPBF

品牌：IR

批号：13+

IC描述：MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

FET类型：N沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：30V

电流-连续漏极（Id）（25℃时）：32A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：76nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4400pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），100W（Tc）

不同Id，Vgs时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

全新原装正品现货

深圳市柏新电子科技有限公司

联系人：林小姐

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