MOSFET
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数据列表 | FQA9N90C_F109 |
产品相片 | TO-3P-3,TO-247-3 |
PCN Design/SpecifICation | Passivation Material 26/June/2007 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立式导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | QFET?? |
包装 | |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 900V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.4 欧姆 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 58nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2730pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 280W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
电话:0755-88914007/13058089868
联系人:尹小姐 (女士)
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邮箱:zmf5158@sina.com
地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋7楼713室
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