数据列表STx13NK60Z(FP,T4)
产品相片TO-263
其它有关文件STB13NK60ZT4 View All SpecifICations
PCN Design/SpecificationD2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
标准包装
1,000类别分立式导体产品家庭FET - 单系列SuperMESH??包装
带卷 (TR)
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能标准漏源极电压 (Vdss)600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)13A (Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)550 毫欧 @ 4.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)92nC @ 10V不同 Vds 时的输入
电容 (Ciss)2030pF @ 25V功率 - 最大值150W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装D2PAK产品目录页面1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-6546-2
STB13NK60ZT4-ND
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