IPP015N04N

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产品信息

数据列表	IPB,IPP015N04N G
产品相片	TO-220-3
标准包装	500
类别	onductor-products">分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	OptiMOS??
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）	120A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）	1.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	20000pF @ 20V
功率 - 最大值	250W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	PG-TO220-3
其它名称	IPP015N04NG IPP015N04NGHKSA1 IPP015N04NGXKSA1 SP000391520 SP000680760

公司介绍

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