IGW50N60T

类型：
半导体

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产品信息

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 晶体管
RoHS:	详细信息
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流:	90 A
Pd-功率耗散:	333 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	TRENCHSTOP IGBT
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
高度:	20.95 mm
长度:	15.9 mm
产品类型:	IGBT Transistors
	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
宽度:	5.3 mm
零件号别名:	SP000054926 IGW5N6TXK IGW50N60TFKSA1
单位重量:	38 g

公司介绍

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