FT838MBD 5V/2A报价

 FT838MBD 5V/2A充电器五级能效方案

特点：

1、高效率，可满足六级能效标准；

2、低待机功耗＜80mW@264Vac； 

3、输出CV/CC精度 ＜±5%； 

4、内置MOS，SOP-8，外围元件 少，系统成本低；

5、保护功能齐全，可靠性好；

6、满足EN55022 ClassB EMI要求；

输入电压范围： 90~264V 

输出电压/电流： 5V/1A 

尺寸： 38*30mm 

典型效率： 76% 

EMI： pass 

空载待机功耗： <80mW 

最大输出纹波： <100mVp-p 

基本特点 

充电器5V/1A FT839NB_5V1A_No Y_CE

1、高效率，可满足六级能效标准； 

2、低待机功耗＜80mW@264Vac； 

3、输出CV/CC精度 ＜±5%； 

4、内置NPN，外围元件少，系统成 本低； 

5、保护功能齐全，可靠性好； 

6、满足EN55022 ClassB EMI要求； 

充电器5V/1A FT839NB_5V1A_With Y_CE 

输入电压范围： 90~264V 

输出电压/电流： 5V/1.5A 

尺寸： 42.8*30mm 

典型效率： 78% EMI： pass 

空载待机功耗： <80mW

 最大输出纹波： <150mVp-p

1、高效率，可满足六级能效标准； 

2、低待机功耗＜80mW@264Vac； 

3、输出CV/CC精度 ＜±5%； 

4、内置NPN，外围元件少，系统成 本低； 

5、保护功能齐全，可靠性好； 

6、满足EN55022 ClassB EMI要求； 

特色概述

 全电压输入范围（90Vac~264Vac）

 高效率

 Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac

 低待机功耗

 < 120mW

 输出纹波噪音低

 <80mV

 输出短路保护

 输出过流保护

 优秀的容性负载启机特性

 在5 级能效标准基础上有充足的效率余量

 内置功率MOS，DIP-8 封装，IC 温升低；外围元件简洁，成本低。

我司为FMD（辉芒微）一级代理，可提供技术支持；如需详细方案资料请联系：15112637097 周经理