IXSN35N100U1放大能力中文资料

品牌：
IXYS
型号：
IXSN35N100U1
类型：
其他
沟道类型：
N沟道

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产品信息

IXSN35N100U1详细参数

制造商:	IXYS
配置:	Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1000 V
栅极/发射极最大电压:	+/- 20 V
最大工作温度:	+ 150 C
集电极最大连续电流 IC:	38 A
最小工作温度:	- 40 C
安装风格:	底座螺丝安装
包装数量：	10pcs

IXSN35N100U1反向偏置安全区域

IXSN35N100U1检查放大能力：

将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅IXSN35N100U1场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

IXSN35N100U1最大额定值

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