安富利 特价现货 IPB60R125CP INFINEON

零件编号         IPB60R125CPTR-ND

制造商     InfineonTechnologies

制造商零件编号     IPB60R125CP

描述         MOSFETN-CH 600V 25A TO263

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

?湿气敏感性等级 （MSL）    1（无限）

一般信息

数据列表         IPB60R125CP;

标准包装       1,000

包装       标准卷带 

类别         分立半导体产品

产品族     晶体管 -

FET，MOSFET - 单

系列         CoolMOS??

其它名称         IPB60R125CP-ND

IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPTR

SP000297368

规格

FET 类型 N 沟道

技术         MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）      600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）   10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）     3.5V @1.1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）        70nC @10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）        2500pF@ 100V

Vgs（最大值）        ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）     208W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）        125 毫欧 @16A，10V

工作温度         -55°C ~150°C（TJ）

安装类型         表面贴装

供应商器件封装     PG-TO263-3-2

封装/外壳       TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB