SI4850EY-T1-E3 分立半导体产品

  • 类型:

    SI4850EY-T1-E3

  • 品牌:

    Vishay

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产品信息

SI4850EY-T1-E3介绍:

描述 MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包装     带卷(TR)

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.7W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)





 
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公司介绍

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