SI4850EY-T1-E3
Vishay
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SI4850EY-T1-E3介绍:
描述 MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 22 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.7W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
电话:0755-88999344
联系人:唐小姐/王先生 (先生)
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邮箱:3004683282@qq.com
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
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