MOSFET - 单 STFW6N120K3 晶体管 - FET

类型：
晶体管

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产品信息

STFW6N120K3介绍:

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMICroelectronics

系列 SuperMESH3??

包装 ? 管件 ?

零件状态停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 34nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1050pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 63W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.4 欧姆 @ 2.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-3PF

封装/外壳 TO-3P-3 整包

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

公司介绍

安富微（深圳）商贸有限公司介绍，公司拥有一支“讲诚信,有耐心，重责任，细管理，强服务，善沟通，静精业务，富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中，我们始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型电子元器件代理商。