晶体管 TK3P50D,RQ(S MOSFET - 单

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产品信息

TK3P50D,RQ(S介绍：

描述 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述表面贴装 N 沟道 500V 3A（Ta） 60W（Tc） DPAK

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 7nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 60W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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