晶体管 NTF6P02T3G MOSFET - 单

产品信息

NTF6P02T3G介绍:
描述 MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 4 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 8.3W(Ta) SOT-223
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 汽车级,AEC-Q101
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 8.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA


在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。

 
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