晶体管 NTF6P02T3G MOSFET - 单

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产品信息

NTF6P02T3G介绍：

描述 MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 4 周

详细描述表面贴装 P 沟道 20V 10A（Ta） 8.3W（Ta） SOT-223

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列汽车级，AEC-Q101

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 20nC @ 4.5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 16V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 8.3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 SOT-223

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。

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