晶体管 FQP46N15 FET-MOSFET

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产品信息

FQP46N15介绍：

描述 MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220

详细描述通孔 N 沟道 150V 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3

复制通孔 N 沟道 150V 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 QFET?

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45.6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 42 毫欧 @ 22.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 110nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3250pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 210W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220-3

封装/外壳 TO-220-3

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.

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