TK31A60W介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
制造商标准提前期 16 周
详细描述 通孔 N 沟道 600V 30.8A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
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类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 DTMOSIV
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 15.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 300V FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包
晶体管的低成本,灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件,例如数字计算。在控制电器和机械方面,晶体管电路也正在取代电机设备,因为它通常是更便宜,更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务,使用电子控制,而不是设计一个等效的机械控制。