晶体管 IRLML6401TR MOSFET - 单

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产品信息

IRLML6401TR介绍：

描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

详细描述表面贴装 P 沟道 12V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） MICro3?/SOT-23

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包装带卷（TR）

零件状态在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 15nC @ 5V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 830pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 Micro3?/SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

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