晶体管 FDD6680AS MOSFET - 单

FDD6680AS介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 55A DPAK 
制造商标准提前期 42 周 
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 55A（Ta） 60W（Ta） TO-252
类别 分立半导体产品 
晶体管 - FET，MOSFET - 单 
制造商 ON SemIConductor 
系列 PowerTrench?，SyncFET?? 
包装    带卷（TR） 
零件状态 在售 
FET 类型 N 沟道 
技术 MOSFET（金属氧化物） 
漏源电压（Vdss） 30V 
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Ta） 
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10.5 毫欧 @ 12.5A，10V 
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA 
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 10V 
Vgs（最大值） ±20V 
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 15V 
FET 功能 - 
功率耗散（最大值） 60W（Ta） 
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 
安装类型 表面贴装 
供应商器件封装 TO-252 
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 
基本零件编号 FDD6680

晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。

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