晶体管 STP60NF06 半导体产品

产品信息

STP60NF06介绍:
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
制造商标准提前期 38 周
详细描述 通孔 N 沟道 60V 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 STripFET?? II
包装  管件 
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 73nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3


晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

意法半导体还与全球名牌大学和知名研究机构开展各种研究项目,通过学术研究促进工业研发活动。意法半导体还担纲MEDEA+等欧洲先进技术研究计划和ENIAC(欧洲纳米技术计划顾问委员会)等工业计划。

 
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