CSD16323Q3介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET??
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值) +10V,-8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 12.5V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 24A,8V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3)
封装/外壳 8-PowerTDFN
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.