电容
CDE
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DCMCE1670 原装现货
DCMCE1670 特点:
制造于美国
延伸阴极快速散热构造
具有卓越的性能可选做电源滤波和储能 例如:
–焊机–不间断电源系统
–微电脑控制电源
DCMCE1670规格说明:
工作温度范围:-40°C to +85°C
DC漏电流:充电后5分钟,圆径≦88.9mm 最大值6 mA,圆径≦76.2mm最大值5mA
纹波电流修正系数:环境温度
45°C 55°C 65°C 75°C 85°C
2.24 2.00 1.73 1.41 1.00
EIA纹波电流寿命: 可通过美国 EIA IS-749 85℃2000h 满载标准 存储寿命: 在85℃500小时后,容量及等效串联电阻及漏电流接近初始要求 震动测试实验: 10 到55Hz,作用时间6ms ,最大10g ,在2个轴向个1.5小时
本公司主要经营美国CDE电容: 无感电容: 941C系列:941C12P1K-F 941C12P15K-F 941C12P22K-F 941C12P33K-F 941C12P47K-F 930C系列:930C12W2K-F 930C12W3K-F 930C12W3-3K-F 930C4W2K-F 930C2W30J-F 930C2W30-1J-F SCT型IGBT突波吸收盒: SCT474K122D3B25-F SCT474K102D3B25-F SCT474K601A3B25-F SCT334K162D3B25-F SCT334K202D3B25-F SCMT型 单个或双个IGBT突波吸收密封盒装电容器: SCMT105K601H5N29-F SCMT474K122H8P29-F SCMT334K122H8P28-F SCMT205K122H1P29-F UNL型 镀金属聚丙烯电解薄膜电容器: UNL10W10KS-F UNL12W7P5K-F UNL8W15KS-F UNL9W13P5K-F UNL5W35KS-F UNL6W30K-F DCMCE85 oC螺栓式铝电解电容: DCMCE1647 DCMCE1649 DCMCE1669 DCMCE1671 DCMCE1654 突波吸收和射频设备,云母电容器:CD16 & CDV16 |
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美国CDE无感
941C930C940C系列无感吸收电容 | 容量&电压型号 | 容量&电压型号 | ||||||||
容量&电压型号 | 2.0uF1200V930C12W2K-F | 0.47uF1600V941C16P47K-F | ||||||||
0.15uF600V941C6P15K-F | 3.0uF1200V930C12W3K-F | 1.0uF1600V941C16W1K-F | ||||||||
0.22uF600V941C6P22K-F | 3.0uF1200V930C12W3-3K-F | 1.5uF1600V941C16W1P5K-F | ||||||||
0.33uF600V941C6P33K-F | 3.0uF1600V941C16W3K-F | |||||||||
0.47uF600V941C6P47K-F | ||||||||||
0.68uF600V941C6P68K-F | ||||||||||
容量&电压型号 | 容量&电压型号 | 容量&电压型号 | ||||||||
0.1uF2000V941C20P1K-F | 0.1uF3000V941C30P1K-F | 0.1uF1200V942C12P1K-F | ||||||||
0.15uF2000V941C20P15K-F | 0.47uF3000V941C30P47K-F | 0.47uF1200V942C12P47K-F | ||||||||
0.47uF2000V941C20P47K-F | 0.68uF3000V941C30P68K-F | 0.47uF1000V940C10P47K-F | ||||||||
0.68uF2000V941C20P68K-F | 1.0uF3000V941C30W1K-F | 0.68uF2000V940C20P68K-F | ||||||||
1.0uF2000V941C20W1K-F | 1.5uF3000V941C30W1P5K-F | |||||||||
1.5uF2000V941C20W1P5K-F |
容
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