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产品信息

产品属性
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS?
包装
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
140 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 6.3μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
294 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
BSS314
　
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深圳市爱冠伟业电子有限公司

  • 电话：15610715612

    联系人：王女士 (女士)

    QQ：

    邮箱：cnhott@163.com

    地址：深圳市福田区广博现代之窗大厦B座18D

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